TEST - Catálogo BURRF
   

Leakage in Nanometer CMOS Technologies / (Registro nro. 278777)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03317nam a22003735i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 278777
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control MX-SnUAN
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20160429153918.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150903s2006 xxu| o |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9780387281339
-- 978-0-387-28133-9
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/0387281339
Fuente del número o código doi
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema vtls000330499
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO]
Nivel de reglas en descripción bibliográfica 201509030722
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201404120454
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201404090236
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201401311343
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación staff
-- 201401291456
-- staff
-- msplit0.mrc
-- 919
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7888.4
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Narendra, Siva G.
Término indicativo de función/relación autor
9 (RLIN) 302629
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Leakage in Nanometer CMOS Technologies /
Mención de responsabilidad, etc. by Siva G. Narendra, Anantha Chandrakasan.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Boston, MA :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer US,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2006.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión X, 307 páginas,
Otras características físicas recurso en línea.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio computadora
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso en línea
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Series on Integrated Circuits and Systems,
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 1558-9412
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Springer eBooks
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Taxonomy of Leakage: Sources, Impact, and Solutions -- Leakage Dependence on Input Vector -- Power Gating and Dynamic Voltage Scaling -- Methodologies for Power Gating -- Body Biasing -- Process Variation and Adaptive Design -- Memory Leakage Reduction -- Active Leakage Reduction and Multi-Performance Devices -- Impact of Leakage Power and Variation on Testing -- Case Study: Leakage Reduction in Hitachi/Renesas Microprocessors -- Case Study: Leakage Reduction in the Intel Xscale Microprocessor -- Transistor Design to Reduce Leakage.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. The goal of Leakage in Nanometer CMOS Technologies is to provide ample detail so that the reader can understand why leakage power components are becoming increasingly relevant in CMOS systems that use nanometer scale MOS devices. Leakage current sources at the MOS device level including sub-threshold and different types of tunneling are discussed in detail. The book covers promising solutions at the device, circuit, and architecture levels of abstraction. Manifestation of these MOS device leakage components at the full chip level depends considerably on several aspects including the nature of the circuit block, its state, its application workload, and Process/Voltage/Temperature conditions. The sensitivity of the various MOS leakage sources to these conditions are described from the first principles. The resulting manifestations are discussed at length to help the reader understand the effectiveness of leakage power reduction solutions under these different conditions. Case studies are presented to highlight real world examples that reap the benefits of leakage power reduction solutions. Finally, the book highlights different device design choices that exist to mitigate increases in the leakage components as technology scales.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Chandrakasan, Anantha.
Término indicativo de función/relación autor
9 (RLIN) 302630
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Servicio en línea)
9 (RLIN) 299170
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9780387257372
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/0-387-28133-9">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/0-387-28133-9</a>
Nota pública Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Recurso en línea

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