Leakage in Nanometer CMOS Technologies / (Registro nro. 278777)
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000 -CABECERA | |
---|---|
campo de control de longitud fija | 03317nam a22003735i 4500 |
001 - NÚMERO DE CONTROL | |
campo de control | 278777 |
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
campo de control | MX-SnUAN |
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
campo de control | 20160429153918.0 |
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
campo de control de longitud fija | 150903s2006 xxu| o |||| 0|eng d |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
Número Internacional Estándar del Libro | 9780387281339 |
-- | 978-0-387-28133-9 |
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
Número estándar o código | 10.1007/0387281339 |
Fuente del número o código | doi |
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
Número de control de sistema | vtls000330499 |
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030722 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404120454 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404090236 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201401311343 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | staff |
-- | 201401291456 |
-- | staff |
-- | msplit0.mrc |
-- | 919 |
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
Número de clasificación | TK7888.4 |
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
Nombre de persona | Narendra, Siva G. |
Término indicativo de función/relación | autor |
9 (RLIN) | 302629 |
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
Título | Leakage in Nanometer CMOS Technologies / |
Mención de responsabilidad, etc. | by Siva G. Narendra, Anantha Chandrakasan. |
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Boston, MA : |
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer US, |
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2006. |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
Extensión | X, 307 páginas, |
Otras características físicas | recurso en línea. |
336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
Término de tipo de contenido | texto |
Código de tipo de contenido | txt |
Fuente | rdacontent |
337 ## - TIPO DE MEDIO | |
Nombre/término del tipo de medio | computadora |
Código del tipo de medio | c |
Fuente | rdamedia |
338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
Código del tipo de soporte | cr |
Fuente | rdacarrier |
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
Tipo de archivo | archivo de texto |
Formato de codificación | |
Fuente | rda |
490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
Mención de serie | Series on Integrated Circuits and Systems, |
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1558-9412 |
500 ## - NOTA GENERAL | |
Nota general | Springer eBooks |
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
Nota de contenido con formato | Taxonomy of Leakage: Sources, Impact, and Solutions -- Leakage Dependence on Input Vector -- Power Gating and Dynamic Voltage Scaling -- Methodologies for Power Gating -- Body Biasing -- Process Variation and Adaptive Design -- Memory Leakage Reduction -- Active Leakage Reduction and Multi-Performance Devices -- Impact of Leakage Power and Variation on Testing -- Case Study: Leakage Reduction in Hitachi/Renesas Microprocessors -- Case Study: Leakage Reduction in the Intel Xscale Microprocessor -- Transistor Design to Reduce Leakage. |
520 ## - SUMARIO, ETC. | |
Sumario, etc. | The goal of Leakage in Nanometer CMOS Technologies is to provide ample detail so that the reader can understand why leakage power components are becoming increasingly relevant in CMOS systems that use nanometer scale MOS devices. Leakage current sources at the MOS device level including sub-threshold and different types of tunneling are discussed in detail. The book covers promising solutions at the device, circuit, and architecture levels of abstraction. Manifestation of these MOS device leakage components at the full chip level depends considerably on several aspects including the nature of the circuit block, its state, its application workload, and Process/Voltage/Temperature conditions. The sensitivity of the various MOS leakage sources to these conditions are described from the first principles. The resulting manifestations are discussed at length to help the reader understand the effectiveness of leakage power reduction solutions under these different conditions. Case studies are presented to highlight real world examples that reap the benefits of leakage power reduction solutions. Finally, the book highlights different device design choices that exist to mitigate increases in the leakage components as technology scales. |
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
Nombre de persona | Chandrakasan, Anantha. |
Término indicativo de función/relación | autor |
9 (RLIN) | 302630 |
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
9 (RLIN) | 299170 |
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
Número Internacional Estándar del Libro | 9780387257372 |
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/0-387-28133-9">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/0-387-28133-9</a> |
Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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