Photoemission from Optoelectronic Materials and their Nanostructures / (Registro nro. 279496)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 03927nam a22003975i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 279496 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20170705134202.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2009 xxu| o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9780387786063 |
| -- | 9780387786063 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9780387786063 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000332939 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030759 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404122314 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404092049 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402041058 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | T174.7 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Ghatak, Kamakhya Prasad. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 303856 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Photoemission from Optoelectronic Materials and their Nanostructures / |
| Mención de responsabilidad, etc. | by Kamakhya Prasad Ghatak, Sitangshu Bhattacharya, Debashis De. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | New York, NY : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer New York : |
| -- | Imprint: Springer, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2009. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | CCCxxIx, 19 páginas 209 ilustraciones |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Nanostructure Science and Technology, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1571-5744 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Fundamentals of Photoemission from Wide Gap Materials -- Fundamentals of Photoemission from Quantum Wells in Ultrathin Films and Quantum Well Wires of Various Nonparabolic Materials -- Fundamentals of Photoemission from Quantum Dots of Various Nonparabolic Materials -- Photoemission from Quantum Confined Semiconductor Superlattices -- Photoemission from Bulk Optoelectronic Materials -- Photoemission under Quantizing Magnetic Field from Optoelectronic Materials -- Photoemission from Quantum Wells in Ultrathin Films, Quantum Wires, and Dots of Optoelectronic Materials -- Photoemission from Quantum Confined Effective Mass Superlattices of Optoelectronic Materials -- Photoemission from Quantum Confined Superlattices of Optoelectronic Materials with Graded Interfaces -- Review of Experimental Results -- Conclusion and Future Research. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | Photoemission from Optoelectronic Materials and Their Nanostructures is the first monograph to investigate the photoemission from low-dimensional nonlinear optical, III-V, II-VI, GaP, Ge, PtSb2, zero-gap, stressed, bismuth, carbon nanotubes, GaSb, IV-VI, Pb1-xGexTe, graphite, Te, II-V, ZnP2, CdP2 , Bi2Te3, Sb, and IV-VI materials. The investigation leads to a discussion of III-V, II-VI, IV-VI and HgTe/CdTe quantum confined superlattices, and superlattices of optoelectronic materials. Photo-excitation changes the band structure of optoelectronic compounds in fundamental ways, which has been incorporated into the analysis of photoemission from macro- and micro-structures of these materials on the basis of newly formulated electron dispersion laws that control the studies of quantum effect devices in the presence of light. The importance of the measurement of band gap in optoelectronic materials in the presence of external photo-excitation has been discussed from this perspective. This monograph contains 125 open-ended research problems which form an integral part of the text and are useful for graduate courses on modern optoelectronics in addition to aspiring Ph.D.’s and researchers in the fields of materials science, computational and theoretical nano-science and -technology, semiconductor optoelectronics, quantized-structures, semiconductor physics and condensed matter physics. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Bhattacharya, Sitangshu. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 303857 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | De, Debashis. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 303858 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9780387786056 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-78606-3">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-78606-3</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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