Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories / (Registro nro. 279862)
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000 -CABECERA | |
---|---|
campo de control de longitud fija | 02874nam a22003975i 4500 |
001 - NÚMERO DE CONTROL | |
campo de control | 279862 |
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
campo de control | MX-SnUAN |
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
campo de control | 20190925105739.0 |
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
campo de control de longitud fija | 150903s2007 xxu| o |||| 0|eng d |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
Número Internacional Estándar del Libro | 9780387688534 |
-- | 9780387688534 |
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
Número estándar o código | 10.1007/9780387688534 |
Fuente del número o código | doi |
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
Número de control de sistema | vtls000331937 |
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030208 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404121955 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404091722 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
-- | 201402041016 |
-- | staff |
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
Lengua de catalogación | spa |
Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
Normas de descripción | rda |
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
Número de clasificación | TK7888.4 |
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
Nombre de persona | Itoh, Kiyoo. |
Término indicativo de función/relación | editor. |
9 (RLIN) | 304419 |
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
Título | Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories / |
Mención de responsabilidad, etc. | edited by Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka. |
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Boston, MA : |
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer US, |
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2007. |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
Otras características físicas | recurso en línea. |
336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
Término de tipo de contenido | texto |
Código de tipo de contenido | txt |
Fuente | rdacontent |
337 ## - TIPO DE MEDIO | |
Nombre/término del tipo de medio | computadora |
Código del tipo de medio | c |
Fuente | rdamedia |
338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
Código del tipo de soporte | cr |
Fuente | rdacarrier |
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
Tipo de archivo | archivo de texto |
Formato de codificación | |
Fuente | rda |
490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
Mención de serie | Series On Integrated Circuits And Systems, |
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1558-9412 |
500 ## - NOTA GENERAL | |
Nota general | Springer eBooks |
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
Nota de contenido con formato | An Introduction to LSI Design -- Ultra-Low Voltage Nano-Scale DRAM Cells -- Ultra-Low Voltage Nano-Scale SRAM Cells -- Leakage Reduction for Logic Circuits in RAMs -- Variability Issue in the Nanometer Era -- Reference Voltage Generators -- Voltage Down-Converters -- Voltage Up-Converters and Negative Voltage Generators -- High-Voltage Tolerant Circuits. |
520 ## - SUMARIO, ETC. | |
Sumario, etc. | Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories provides an in-depth discussion of the state-of-the-art nanometer and sub-1-V memory LSIs that are playing decisive roles in power conscious systems. Emerging problems between the device, circuit, and system levels are systematically covered in terms of reliable high-speed operations of memory cells and peripheral logic circuits. The effectiveness of solutions at device and circuit levels is also described at length through clarifying noise components in an array, and even essential differences in ultra-low voltage operations between DRAMs and SRAMs. Moreover, various kinds of on-chip voltage converters necessary to solve problems with internal power-supply managements are extensively discussed. This authoritative monograph addresses these design challenges for memory and circuit engineers as well as for researchers and students who are interested in ultra-low voltage nano-scale memory LSIs. |
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
Nombre de persona | Horiguchi, Masashi. |
Término indicativo de función/relación | editor. |
9 (RLIN) | 304420 |
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
9 (RLIN) | 299170 |
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
Número Internacional Estándar del Libro | 9780387333984 |
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
9 (RLIN) | 348949 |
Nombre de persona | Tanaka, Hiroshi. |
Término indicativo de función/relación | editor. |
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-68853-4">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-68853-4</a> |
Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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