TEST - Catálogo BURRF
   

Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories / (Registro nro. 279862)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 02874nam a22003975i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 279862
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control MX-SnUAN
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20190925105739.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150903s2007 xxu| o |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9780387688534
-- 9780387688534
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/9780387688534
Fuente del número o código doi
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema vtls000331937
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO]
Nivel de reglas en descripción bibliográfica 201509030208
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201404121955
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201404091722
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
-- 201402041016
-- staff
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen MX-SnUAN
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor MX-SnUAN
Normas de descripción rda
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7888.4
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Itoh, Kiyoo.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 304419
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories /
Mención de responsabilidad, etc. edited by Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Boston, MA :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer US,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2007.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Otras características físicas recurso en línea.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio computadora
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso en línea
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Series On Integrated Circuits And Systems,
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 1558-9412
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Springer eBooks
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato An Introduction to LSI Design -- Ultra-Low Voltage Nano-Scale DRAM Cells -- Ultra-Low Voltage Nano-Scale SRAM Cells -- Leakage Reduction for Logic Circuits in RAMs -- Variability Issue in the Nanometer Era -- Reference Voltage Generators -- Voltage Down-Converters -- Voltage Up-Converters and Negative Voltage Generators -- High-Voltage Tolerant Circuits.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories provides an in-depth discussion of the state-of-the-art nanometer and sub-1-V memory LSIs that are playing decisive roles in power conscious systems. Emerging problems between the device, circuit, and system levels are systematically covered in terms of reliable high-speed operations of memory cells and peripheral logic circuits. The effectiveness of solutions at device and circuit levels is also described at length through clarifying noise components in an array, and even essential differences in ultra-low voltage operations between DRAMs and SRAMs. Moreover, various kinds of on-chip voltage converters necessary to solve problems with internal power-supply managements are extensively discussed. This authoritative monograph addresses these design challenges for memory and circuit engineers as well as for researchers and students who are interested in ultra-low voltage nano-scale memory LSIs.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Horiguchi, Masashi.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 304420
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Servicio en línea)
9 (RLIN) 299170
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9780387333984
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
9 (RLIN) 348949
Nombre de persona Tanaka, Hiroshi.
Término indicativo de función/relación editor.
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-68853-4">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-68853-4</a>
Nota pública Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Recurso en línea

No hay ítems disponibles.

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Soportado en Koha