Materials Fundamentals of Gate Dielectrics / (Registro nro. 281625)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 04138nam a22003735i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 281625 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429154113.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2005 ne | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781402030789 |
| -- | 9781402030789 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/1402030789 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000334225 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030210 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404120710 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404090450 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402041143 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | QC1-75 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Demkov, Alexander A. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 307467 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Materials Fundamentals of Gate Dielectrics / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by Alexander A. Demkov, Alexandra Navrotsky. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Dordrecht : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Netherlands, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2005. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | viii, 475 páginas |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Materials and Physical Properties of High-K Oxide Films -- Device Principles of High-K Dielectrics -- Thermodynamics of Oxide Systems Relevant to Alternative Gate Dielectrics -- Electronic Structure and Chemical Bonding in High-k Transition Metal and Lanthanide Series Rare Earth Alternative Gate Dielectrics: Applications to Direct Tunneling and Defects at Dielectric Interfaces -- Atomic Structure, Interfaces and Defects of High Dielectric Constant Gate Oxides -- Dielectric Properties of Simple and Complex Oxides from First Principles -- IVb Transition Metal Oxides and Silicates: An Ab Initio Study -- The Interface Phase and Dielectric Physics for Crystalline Oxides on Semiconductors -- Interfacial Properties of Epitaxial Oxide/Semiconductor Systems -- Functional Structures -- Mechanistic Studies of Dielectric Growth on Silicon -- Methodology for Development of High-? Stacked Gate Dielectrics on III–V Semiconductors. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | This book presents materials fundamentals of novel gate dielectrics that are being introduced into semiconductor manufacturing to ensure the continuous scalling of the CMOS devices. This is a very fast evolving field of research so we choose to focus on the basic understanding of the structure, thermodunamics, and electronic properties of these materials that determine their performance in device applications. Most of these materials are transition metal oxides. Ironically, the d-orbitals responsible for the high dielectric constant cause sever integration difficulties thus intrinsically limiting high-k dielectrics. Though new in the electronics industry many of these materials are wel known in the field of ceramics, and we describe this unique connection. The complexity of the structure-property relations in TM oxides makes the use of the state of the art first-principles calculations necessary. Several chapters give a detailed description of the modern theory of polarization, and heterojunction band discontinuity within the framework of the density functional theory. Experimental methods include oxide melt solution calorimetry and differential scanning calorimetry, Raman scattering and other optical characterization techniques, transmission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy. Many of the problems encounterd in the world of CMOS are also relvant for other semiconductors such as GaAs. A comprehensive review of recent developments in this field is thus also given. The book should be of interest to those actively engaged in the gate dielectric research, and to graduate students in Materials Science, Materials Physics, Materials Chemistry, and Electrical Engineering. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Navrotsky, Alexandra. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 307468 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781402030772 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-3078-9">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-3078-9</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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