Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment : (Registro nro. 281907)
[ vista simple ]
| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 06271nam a22003975i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 281907 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20170705134206.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2005 ne | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781402030130 |
| -- | 9781402030130 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/1402030134 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000334198 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030244 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404120705 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404090445 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402041142 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | TK7800-8360 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Flandre, Denis. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 308060 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment : |
| Resto del título | Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment Kiev, Ukraine 26–30 April 2004 / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by Denis Flandre, Alexei N. Nazarov, Peter L.F. Hemment. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Dordrecht : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Netherlands, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2005. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xii, 348 páginas |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1568-2609 ; |
| Designación de volumen o secuencia | 185 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Technology and Economics -- High Temperature Electronics - Cluster Effects -- On the Evolution of SOI Materials and Devices -- SOI Technology as a Basis for Microphotonic-Microelectronic Integrated Devices -- SOI Material Technologies -- Smart Cut Technology: The Path for Advanced SOI Substrates -- Porous Silicon Based SOI: History and Prospects -- Achievement of SiGe-on-Insulator Technology -- CVD Diamond Films for SOI Technologies -- Radical Beam Quasiepitaxy Technology for Fabrication of Wide-Gap Semiconductors on Insulator -- Impact of Hydrostatic Pressure during Annealing of Si:O on Creation of Simox - Like Structures -- SiO2 and Si3N4 Phase Formation by Ion Implantation with In-Situ Ultrasound Treatment -- Fabrication and Characterisation of Silicon on Insulator Substrates Incorporating Thermal Vias -- Reliability and Operation of SOI Devices in Harsh Environment -- Reliability and Electrical Fluctuations in Advanced SOI CMOS Devices -- Hydrogen and High-Temperature Charge Instability of SOI Structures and MOSFETs -- Recent Advances in SOI MOSFET Devices and Circuits for Ultra-Low Power / High Temperature Applications -- Silicon-on-Insulator Circuits for Application at High Temperatures -- High-Voltage SOI Devices for Automotive Applications -- Heat Generation Analysis in SOI LDMOS Power Transistors -- Novel SOI MOSFET Structure for Operation over a Wide Range of Temperatures -- MOSFETs Scaling Down: Advantages and Disadvantages for High Temperature Applications -- Temperature Dependence of RF Losses in High-Resistivity SOI Substrates -- Radiation Effects -- Review of Radiation Effects in Single and Multiple-Gate SOI MOSFETs -- Radiation Effects in SOI: Irradiation by High Energy Ions and Electrons -- Radiation Characteristics of Short P- Channel MOSFETs on SOI Substrates -- Total Dose Behavior of Partially Depleted Delecut SOI MOSFETs -- Radiation Effect on Electrical Properties of Fully-Depleted Unibond SOI MOSFETs -- Characterization and Simulation of SOI Devices Operating under Harsh Environment -- Low Cost High Temperature Test System for SOI Devices -- Characterization of Carrier Generation in Thin-Film SOI Devices by Reverse Gated-Diode Technique and its Application at High Temperatures -- Back-Gate Induced Noise Overshoot in Partially-Depleted SOI MOSFETs -- Novel SOI Devices and Sensors Operating at Harsh Conditions -- SiGe Heterojunction Bipolar Transistors on Insulating Substrates -- Silicon-on-Insulator Substrates with Buried Ground Planes (GPSOI) -- High-Voltage High-Current DMOS Transistor Compatible with High-Temperature Thin-Film SOI CMOS Applications -- A Novel Low Leakage EEPROM Cell for Application in an Extended Temperature Range (?40°C Up to 225°C) -- Design, Fabrication and Characterization of SOI Pixel Detectors of Ionizing Radiation -- Polysilicon-on-Insulator Layers at Cryogenic Temperatures and High Magnetic Fields -- Planar Photomagnetic Effect SOI Sensors for Various Applications with Low Detection Limit -- Theoretical Limit for the SiO2 Thickness in Silicon MOS Devices -- Compact Model of the Nanoscale Gate-All-Around MOSFET -- Self-Assembled Semiconductor Nanowires on Silicon and Insulating Substrates: Experimental Behavior -- Fabrication of SOI Nano Devices. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | This book collects the papers presented during NATO Advanced Research Workshop "Science and technology of Semiconductor on Insulator (SOI) structures and devices operating in a harsh environment" held in Kiev 26-30 April 2004. The volume contains both reviews from invited speakers and selected papers presenting major innovations in SOI materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operated under harsh conditions. In the first part of the book dealing with SOI material technology, the evolution of SOI materials, achievements in the main standard technologies as Smart Cut, SIMOX, porous silicon as well as methods to create more exotic structures are described. The second part of the book covers the reliability aspect of SOI devices operating in a harsh environment: high and low temperatures, high voltages, with a focus on radiation effects and characterization of these devices. Third part of the book overviews novel devices and sensors opportunities for such conditions and the closes with papers discussing the perspectives of SOI scaling to nano devices. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Nazarov, Alexei N. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 308061 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Hemment, Peter L.F. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 308062 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781402030116 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-3013-4">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-3013-4</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
No hay ítems disponibles.