TEST - Catálogo BURRF
   

Microscopy of Semiconducting Materials 2007 / (Registro nro. 283017)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 02940nam a22003855i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 283017
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control MX-SnUAN
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20160429154216.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150903s2008 ne | o |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9781402086151
-- 9781402086151
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/9781402086151
Fuente del número o código doi
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema vtls000336074
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO]
Nivel de reglas en descripción bibliográfica 201509030256
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201404300311
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
-- 201402041340
-- staff
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen MX-SnUAN
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor MX-SnUAN
Normas de descripción rda
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TA401-492
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Cullis, A. G.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 310236
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Microscopy of Semiconducting Materials 2007 /
Mención de responsabilidad, etc. edited by A. G. Cullis, P. A. Midgley.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Dordrecht :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer Netherlands,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2008.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión xiv + 498 pp
Otras características físicas recurso en línea.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio computadora
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso en línea
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Springer Proceedings in Physics,
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 0930-8989 ;
Designación de volumen o secuencia 120
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Springer eBooks
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Wide Band-Gap Nitrides -- General Heteroepitaxial Layers -- High Resolution Microscopy and Nanoanalysis -- Self-Organised and Quantum Domain Structures -- Processed Silicon and Other Device Materials -- Device and Doping Studies -- FIB, SEM and SPM Advances.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. The fifteenth international conference on Microscopy of Semiconducting Materials took place in Cambridge, UK on 2-5 April 2007. It was organised by the Institute of Physics, with co-sponsorship by the Royal Microscopical Society and endorsement by the Materials Research Society. The conference focused upon the most recent advances in the study of the structural and electronic properties of semiconducting materials by the application of transmission and scanning electron microscopy, scanning probe microscopy and X-ray-based methods. Conference sessions concentrated on key topics including state-of-the-art studies in high resolution imaging and analytical electron microscopy, advanced scanning probe microscopy, scanning electron microscopy and focused ion beam applications, novel epitaxial layer phenomena, the properties of quantum nanostructures, III-nitride developments, GeSi/Si for advanced devices, metal-semiconductor contacts and silicides and the important effects of critical device processing treatments. Accordingly, this volume should be of direct interest to researchers in areas ranging from fundamental studies to electronic device assessment.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Midgley, P. A.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 310237
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Servicio en línea)
9 (RLIN) 299170
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9781402086144
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4020-8615-1">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4020-8615-1</a>
Nota pública Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Recurso en línea

No hay ítems disponibles.

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