TEST - Catálogo BURRF
   

CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies : (Registro nro. 283508)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03211nam a22003855i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 283508
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control MX-SnUAN
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20160429154238.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150903s2008 ne | o |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9781402083631
-- 9781402083631
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/9781402083631
Fuente del número o código doi
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema vtls000335962
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO]
Nivel de reglas en descripción bibliográfica 201509030817
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201404300309
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
-- 201402041337
-- staff
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen MX-SnUAN
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor MX-SnUAN
Normas de descripción rda
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7888.4
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Pavlov, Andrei.
Término indicativo de función/relación autor
9 (RLIN) 311063
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies :
Resto del título Process-Aware SRAM Design and Test /
Mención de responsabilidad, etc. by Andrei Pavlov, Manoj Sachdev.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Dordrecht :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer Netherlands,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2008.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Otras características físicas recurso en línea.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio computadora
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso en línea
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Frontiers In Electronic Testing,
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 0929-1296 ;
Designación de volumen o secuencia 40
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Springer eBooks
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato and Motivation -- SRAM Circuit Design and Operation -- SRAM Cell Stability: Definition, Modeling and Testing -- Traditional SRAM Fault Models and Test Practices -- Techniques for Detection of SRAM Cells with Stability Faults -- Soft Errors in SRAMs: Sources, Mechanisms and Mitigation Techniques.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. As technology scales into nano-meter region, design and test of Static Random Access Memories (SRAMs) becomes a highly complex task. Process disturbances and various defect mechanisms contribute to the increasing number of unstable SRAM cells with parametric sensitivity. Growing sizes of SRAM arrays increase the likelihood of cells with marginal stability and pose strict constraints on transistor parameters distributions. Standard functional tests often fail to detect unstable SRAM cells. Undetected unstable cells deteriorate quality and reliability of the product as such cells may fail to retain the data and cause a system failure. Special design and test measures have to be taken to identify cells with marginal stability. However, it is not sufficient to identify the unstable cells. To ensure reliable system operation, unstable cells have to be repaired. CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies covers a broad range of topics related to SRAM design and test. From SRAM operation basics through cell electrical and physical design to process-aware and economical approach to SRAM testing. The emphasis of the book is on challenges and solutions of stability testing as well as on development of understanding of the link between the process technology and SRAM circuit design in modern nano-scaled technologies.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Sachdev, Manoj.
Término indicativo de función/relación autor
9 (RLIN) 299706
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Servicio en línea)
9 (RLIN) 299170
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9781402083624
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4020-8363-1">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4020-8363-1</a>
Nota pública Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Recurso en línea

No hay ítems disponibles.

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Soportado en Koha