Device Physics of Narrow Gap Semiconductors / (Registro nro. 286170)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 02773nam a22003975i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 286170 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429154447.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2010 xxu| o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781441910400 |
| -- | 9781441910400 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9781441910400 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000338176 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030811 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404300341 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402060904 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | TA1750-1750.22 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Chu, Junhao. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 303549 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Device Physics of Narrow Gap Semiconductors / |
| Mención de responsabilidad, etc. | by Junhao Chu, Arden Sher. |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN | |
| Mención de edición | 1. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | New York, NY : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer New York : |
| -- | Imprint: Springer, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2010. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Microdevices, Physics and Fabrication Technologies |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Impurities and Defects -- Recombination -- Two-Dimensional Surface Electron Gas -- Superlattice and Quantum Well -- Devices Physics. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | Narrow gap semiconductors obey the general rules of semiconductor science, but often exhibit extreme features of these rules because of the same properties that produce their narrow gaps. Consequently these materials provide sensitive tests of theory, and the opportunity for the design of innovative devices. Narrow gap semiconductors are the most important materials for the preparation of advanced modern infrared systems. Device Physics of Narrow Gap Semiconductors offers descriptions of the materials science and device physics of these unique materials. Topics covered include impurities and defects, recombination mechanisms, surface and interface properties, and the properties of low dimensional systems for infrared applications. This book will help readers to understand not only the semiconductor physics and materials science, but also how they relate to advanced opto-electronic devices. The last chapter applies the understanding of device physics to photoconductive detectors, photovoltaic infrared detectors, super lattices and quantum wells, infrared lasers, and single photon infrared detectors. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Sher, Arden. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 303550 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781441910394 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-1040-0">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-1040-0</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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