Robust SRAM Designs and Analysis / (Registro nro. 286898)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 02816nam a22003855i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 286898 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429154521.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2013 xxu| o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781461408185 |
| -- | 9781461408185 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9781461408185 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000340410 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030348 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404300415 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402061024 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | TK7888.4 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Singh, Jawar. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 315830 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Robust SRAM Designs and Analysis / |
| Mención de responsabilidad, etc. | by Jawar Singh, Saraju P. Mohanty, Dhiraj K. Pradhan. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | New York, NY : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer New York : |
| -- | Imprint: Springer, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2013. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xI, 166 páginas 167 ilustraciones |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Introduction to SRAM -- Design Metrics of SRAM Bitcell -- Single-ended SRAM Bitcell Design -- 2-Port SRAM Bitcell Design -- SRAM Bitcell Design Using Unidirectional Devices -- NBTI and its Effect on SRAM. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design. Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis; Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis; Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices; Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Mohanty, Saraju P. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 303355 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Pradhan, Dhiraj K. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 315831 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781461408178 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-0818-5">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-0818-5</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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