Bismuth-Containing Compounds / (Registro nro. 289929)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 04496nam a22003855i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 289929 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429154728.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2013 xxu| o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781461481218 |
| -- | 9781461481218 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9781461481218 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000342396 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030852 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201405050243 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402061125 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | TA1750-1750.22 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Li, Handong. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 320372 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Bismuth-Containing Compounds / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by Handong Li, Zhiming M. Wang. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | New York, NY : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer New York : |
| -- | Imprint: Springer, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2013. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xii, 379 páginas 233 ilustraciones, 124 ilustraciones en color. |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Springer Series in Materials Science, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 0933-033X ; |
| Designación de volumen o secuencia | 186 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Preface -- Chapter 1: Dilute Bismides for Mid-IR Applications -- Chapter 2: Bismide-based photonic devices for near- and mid-infrared applications -- Chapter 3: Theory of the electronic structure of dilute bismide alloys: Tight-binding and k_p models -- Chapter 4: Dilute bismuthides on an InP platform -- Chapter 5: Atmospheric-pressure metalorganic vapor phase epitaxy of GaAsBi alloy on GaAs substrate -- Chapter 6: Group III-V bismide materials grown by liquid phase epitaxy -- Chapter 7: Spectroscopic Ellipsometry of AP-MOVPE grown GaAs1-xBix dilute alloys -- Chapter 8: Effect of bismuth alloying on the transport properties of the dilute bismide alloy, GaAs1-xBix -- Chapter 9: Localized states in GaAsBi and GaAs/GaAsBi heterostructures -- Chapter 10: Unusual Bi-containing surface layers of III-V compound semiconductors -- Chapter 11: MBE growth of thin hexagonal films Bi2Te3, Bi2Se3, and their alloys on cubic GaAs (001) substrates -- Chapter 12: Vapor Phase Deposition Synthesis of Bismuth-Based Topological Insulator Nanoplates and Their Electrostatic Properties -- Chapter 13: Electronic and optical properties of domain walls and phase boundaries in bismuth ferrite -- Chapter 14: Syntheses and Properties of Some Bi-Containing Compounds with Noncentrosymmetric Structure -- Chapter 15: Bismuth(V)-containing semiconductor compounds and applications in heterogeneous photocatalysis -- Index. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | Bismuth-containing compounds comprise a relatively unexplored materials system that is expected to offer many unique and desirable optoelectronic, thermoelectric, and electronic properties for innovative device applications. This book serves as a platform for knowledge sharing and dissemination of the latest advances in novel areas of bismuth-containing compounds for materials and devices, and provides a comprehensive introduction to those new to this growing field. Coverage of bismides includes theoretical considerations, epitaxial growth, characterization, and materials properties (optical, electrical, and structural). In addition to the well-studied area of highly mismatched Bi-alloys, the book covers emerging topics such as topological insulators and ferroelectric materials. Built upon fundamental science, the book is intended to stimulate interest in developing new classes of semiconductor and thermoelectric materials that exploit the properties of Bismuth. Application areas for bismide materials include laser diodes for optical communications, DVD systems, light-emitting diodes, solar cells, transistors, quantum well lasers, and spintronic devices. Features comprehensive coverage of novel bismuth-related materials and devices Covers an emerging materials system with high potential for device applications Written by leading experts in the corresponding research areas Provides a foundation for the development of future optoelectronic, thermoelectric, and electronic devices |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Wang, Zhiming M. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 303055 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781461481201 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8121-8">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8121-8</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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