Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics / (Registro nro. 291581)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 04923nam a22003615i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 291581 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429154904.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2006 xxk| o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781846282096 |
| -- | 9781846282096 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/1846282098 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000343734 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030750 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404120956 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404090733 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402061203 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Krier, Anthony. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 322946 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by Anthony Krier. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | London : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer London, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2006. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xviii, 751 páginas 443 ilustraciones |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Springer Series in Optical Sciences, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 0342-4111 ; |
| Designación de volumen o secuencia | 118 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Materials and Device Design Considerations -- Theory of Mid-wavelength Infrared Laser Active Regions: Intrinsic Properties and Design Strategies -- Band Structure and High-pressure Measurements -- Lasers -- III-Sb-based Type-I QW Diode Lasers -- VCSELs Emitting in the 2–3 µm Wavelength Range -- Antimonide Type-II “W” Lasers -- Interface Lasers with Asymmetric Band Offset Confinement -- IV–VI Semiconductors for Mid-infrared Optoelectronic Devices -- Mid-infrared Vertical Cavity Surface Emitting Lasers based on the Lead Salt Compounds -- Optically Pumped MIR Lasers -- Mid-infrared Quantum Cascade Lasers -- LEDs and Detectors -- Mid-infrared Electroluminescence in LEDs Based on InAs and Related Alloys -- LED-Photodiode Opto-pairs -- QWIP Detectors for the MWIR -- Negative Luminescence -- Mid-infrared Quantum Dot Photodetectors -- Quantum Photovoltaic Devices Based on Antimony Compound Semiconductors -- High-speed Avalanche Photodiodes for the 2–5 µm Spectral Range -- Applications -- Infrared Methods for Gas Detection -- Mid-infrared Biomedical Applications -- Development of Infrared Countermeasure Technology and Systems -- Survey of Thermophotovoltaic (TPV) Devices. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | The practical realisation of optoelectronic devices operating in the 2–10 µm (mid-infrared) wavelength range offers potential applications in a variety of areas from environmental gas monitoring around oil rigs and landfill sites to the detection of pharmaceuticals, particularly narcotics. In addition, an atmospheric transmission window exists between 3 µm and 5 µm that enables free-space optical communications, thermal imaging applications and the development of infrared measures for "homeland security". Consequently, the mid-infrared is very attractive for the development of sensitive optical sensor instrumentation. Unfortunately, the nature of the likely applications dictates stringent requirements in terms of laser operation, miniaturisation and cost that are difficult to meet. Many of the necessary improvements are linked to a better ability to fabricate and to understand the optoelectronic properties of suitable high-quality epitaxial materials and device structures. Substantial progress in these matters is presented here. Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics is an overview of the current status and technological development in this rapidly emerging area. It is composed of four parts. First, the basic physics and some of the main problems facing the design engineer (together with a comparison of possible solutions) are laid out. Next, there is a consideration of the multifarious lasers used as sources for mid-infrared technology, including an inspection of current approaches to the lack of such a source in the 3–4 µm region. Part III reviews recent work in light-emitting diodes and detectors and also deals with negative luminescence. The final part of the book is concerned with applications and highlights, once more, the diversity and technological importance of the mid-infrared spectral region. With a world-wide authorship of experts working in a number of different mid-infrared-related fields Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics will be an invaluable reference for researchers and graduate students drawn from backgrounds in physics, electronic and electrical engineering and materials science. Its breadth and thoroughness also make it an excellent starting point for further research and investigation. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781846282089 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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