Materials for Information Technology : (Registro nro. 291892)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 06214nam a22003855i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 291892 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429154924.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2005 xxk| o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781846282355 |
| -- | 9781846282355 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/1846282357 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000343755 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030750 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404120959 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404090737 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402061204 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Zschech, Ehrenfried. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 323373 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Materials for Information Technology : |
| Resto del título | Devices, Interconnects and Packaging / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by Ehrenfried Zschech, Caroline Whelan, Thomas Mikolajick. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | London : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer London, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2005. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xIx, 508 páginas 338 ilustraciones |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Engineering Materials and Processes, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1619-0181 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Recent Advances in Thin-film Deposition -- Molecular-beam Deposition of High-k Gate Dielectrics for Advanced CMOS -- LEPECVD — A Production Technique for SiGe MOSFETs and MODFETs -- Thin-film Engineering by Atomic-layer Deposition for Ultra-scaled and Novel Devices -- Atomic-layer Deposited Barrier and Seed Layers for Interconnects -- Copper CVD for Conformal Ultrathin-film Deposition -- Pushing PVD to the Limits — Recent Advances -- Surface Engineering Using Self-assembled Monolayers: Model Substrates for Atomic-layer Deposition -- Selective Airgaps: Towards a Scalable Low-k Solution -- Silicides — Recent Advances and Prospects -- TEM Characterization of Strained Silicon -- Material Aspects of Non-Volatile Memories -- An Introduction to Nonvolatile Memory Technology -- Floating-dot Memory Transistors on SOI Substrate -- Ion-beam Synthesis of Nanocrystals for Multidot Memory Structures -- Scaling of Ferroelectric-based Memory Concepts -- Device Concepts with Magnetic Tunnel Junctions -- Phase-change Memories -- Amorphous-to-fcc Transition in GeSbTe Alloys -- Organic Nonvolatile Memories -- Materials for Interconnects -- Interconnect Technology — Today, Recent Advances and a Look into the Future -- Dielectric and Scaling Effects on Electromigration for Cu Interconnects -- Texture and Stress Study of Sub-Micron Copper Interconnect Lines Using X-ray Microdiffraction -- Stress Modeling for Copper Interconnect Structures -- Conductivity Enhancement in Metallization Structures of Regular Grains -- Advanced Barriers for Copper Interconnects -- Synthesis and Characterization of Compounds Obtained by Crosslinking of Polymethylhydrosiloxane by Aromatic Rings -- Revealing the Porous Structure of Low-k Materials Through Solvent Diffusion -- Carbon Nanotube Via Technologies for Future LSI Interconnects -- Nickel Nanowires Obtained by Template Synthesis -- Materials for Assembly/Packaging -- The Importance of Polymers in Wafer-Level Packaging -- Electrically Conductive Adhesives as Solder Alternative: A Feasible Challenge -- The Role of Au/Sn Solder in Packaging -- Packaging Materials: Organic-Inorganic Hybrids for Millimetre-Wave Optoelectronics -- Wafer-Level Three-Dimensional Hyper-Integration Technology Using Dielectric Adhesive Wafer Bonding -- Advanced Materials Characterization -- Challenges to Advanced Materials Characterization for ULSI Applications -- Advanced Material Characterization by TOFSIMS in Microelectronic -- Electronic Properties of the Interface Formed by Pr2O3 Growth on Si(001), Si(111) and SiC(0001) Surfaces -- Materials Characterization by Ellipsometry -- Thermal Desorption Spectrometry as a Method of Analysis for Advanced Interconnect Materials -- Electron Backscatter Diffraction: Application to Cu Interconnects in Top-View and Cross Section -- X-ray Reflectivity Characterisation of Thin-Film and Multilayer Structures. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | The fast-developing information technology industry is driving a need for new materials in order to facilitate the development of more reliable microelectronic products. Materials for Information Technology is an up-to-date overview of current developments and R&D activities in the field of materials used for information technology with a focus on future applications. Included are: materials for silicon-based semiconductor devices (including high-k gate dielectric materials); materials for nonvolatile memories; materials for on-chip interconnects and interlayer dielectrics (including silicides, barrier materials, low-k and ultra low-k dielectric materials); and materials for assembly and packaging The latest results in materials science and engineering as well as applications in the semiconductor industry are covered including the synthesis of blanket and patterned thin film materials, their properties, constitution, structure and microstructure. Computer modelling and analytical techniques to characterise thin film structures are also included to give a comprehensive survey of materials for the IT industry. The Engineering Materials and Processes series focuses on all forms of materials and the processes used to synthesise and formulate them as they relate to the various engineering disciplines. The series deals with a diverse range of materials: ceramics; metals (ferrous and non-ferrous); semiconductors; composites, polymers, biomimetics etc. Each monograph in the series is written by a specialist and demonstrates how enhancements in materials and the processes associated with them can improve performance in the field of engineering in which they are used. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Whelan, Caroline. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 323374 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Mikolajick, Thomas. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 323375 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781852339418 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-235-7">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-235-7</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
No hay ítems disponibles.