Debye Screening Length : (Registro nro. 292195)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 03307nam a22003855i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 292195 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429154944.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2014 gw | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783319013398 |
| -- | 9783319013398 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9783319013398 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000345970 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030910 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201405050327 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402070846 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | QC610.9-611.8 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Ghatak, Kamakhya Prasad. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 303856 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Debye Screening Length : |
| Resto del título | Effects of Nanostructured Materials / |
| Mención de responsabilidad, etc. | by Kamakhya Prasad Ghatak, Sitangshu Bhattacharya. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Cham : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer International Publishing : |
| -- | Imprint: Springer, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2014. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xxxiii, 385 páginas 123 ilustraciones |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Springer Tracts in Modern Physics, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 0081-3869 ; |
| Designación de volumen o secuencia | 255 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | From the Contents: Part I Influence of Light Waves on the DSL in Optoelectronic Semiconductors -- Part II Influence of Quantum Confinement on the DSL in Non-Parabolic Semiconductors -- Part III Influence of Intense Electric Field on the DSL in Optoelectronic Semiconductors. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | This monograph solely investigates the Debye Screening Length (DSL) in semiconductors and their nano-structures. The materials considered are quantized structures of non-linear optical, III-V, II-VI, Ge, Te, Platinum Antimonide, stressed materials, Bismuth, GaP, Gallium Antimonide, II-V and Bismuth Telluride respectively. The DSL in opto-electronic materials and their quantum confined counterparts is studied in the presence of strong light waves and intense electric fields on the basis of newly formulated electron dispersion laws that control the studies of such quantum effect devices. The suggestions for the experimental determination of 2D and 3D DSL and the importance of measurement of band gap in optoelectronic materials under intense built-in electric field in nano devices and strong external photo excitation (for measuring photon induced physical properties) have also been discussed in this context. The influence of crossed electric and quantizing magnetic fields on the DSL and the DSL in heavily doped semiconductors and their nanostructures has been investigated. This monograph contains 150 open research problems which form the integral part of the text and are useful for both PhD students and researchers in the fields of solid-state sciences, materials science, nano-science and technology and allied fields in addition to the graduate courses in modern semiconductor nanostructures. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Bhattacharya, Sitangshu. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 303857 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783319013381 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-01339-8">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-01339-8</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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