TEST - Catálogo BURRF		    

Toward Quantum FinFET / (Registro nro. 292298)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03374nam a22003735i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 292298
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control MX-SnUAN
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20170705134225.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150903s2013 gw | o |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783319020211
-- 9783319020211
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/9783319020211
Fuente del número o código doi
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema vtls000346152
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO]
Nivel de reglas en descripción bibliográfica 201509030912
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201405050330
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
-- 201402070850
-- staff
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen MX-SnUAN
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor MX-SnUAN
Normas de descripción rda
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación QC176.8.N35
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Han, Weihua.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 323959
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Toward Quantum FinFET /
Mención de responsabilidad, etc. edited by Weihua Han, Zhiming M. Wang.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Cham :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer International Publishing :
-- Imprint: Springer,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2013.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión xI, 363 páginas 235 ilustraciones, 168 ilustraciones en color.
Otras características físicas recurso en línea.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio computadora
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso en línea
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Lecture Notes in Nanoscale Science and Technology,
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 2195-2159 ;
Designación de volumen o secuencia 17
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Springer eBooks
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book reviews a range of quantum phenomena in novel nanoscale transistors called FinFETs, including quantized conductance of 1D transport, single electron effect, tunneling transport, etc. The goal is to create a fundamental bridge between quantum FinFET and nanotechnology to stimulate readers' interest in developing new types of semiconductor technology. Although the rapid development of micro-nano fabrication is driving the MOSFET downscaling trend that is evolving from planar channel to nonplanar FinFET, silicon-based CMOS technology is expected to face fundamental limits in the near future. Therefore, new types of nanoscale devices are being investigated aggressively to take advantage of the quantum effect in carrier transport. The quantum confinement effect of FinFET at room temperatures was reported following the breakthrough to sub-10nm scale technology in silicon nanowires. With chapters written by leading scientists throughout the world, Toward Quantum FinFET provides a comprehensive introduction to the field as well as a platform for knowledge sharing and dissemination of the latest advances. As a  roadmap to guide further research in an area of increasing importance for the future development of materials science, nanofabrication technology, and nano-electronic devices, the book can be recommended for Physics, Electrical Engineering, and Materials Science departments, and as a reference on micro-nano electronic science and device design. Offers comprehensive coverage of novel nanoscale transistors with quantum confinement effect Provides the keys to understanding the emerging area of the quantum FinFET Written by leading experts in each research area Describes a key enabling technology for research and development of nanofabrication and nanoelectronic devices
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Wang, Zhiming M.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 303055
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Servicio en línea)
9 (RLIN) 299170
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783319020204
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-02021-1">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-02021-1</a>
Nota pública Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Recurso en línea

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Soportado en Koha