TEST - Catálogo BURRF		    

Ferroelectric Thin Films : (Registro nro. 294809)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03071nam a22003855i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 294809
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control MX-SnUAN
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20170705134230.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150903s2005 gw | o |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783540314790
-- 9783540314790
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/b99517
Fuente del número o código doi
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema vtls000347708
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO]
Nivel de reglas en descripción bibliográfica 201509031104
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201405070518
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
-- 201402070938
-- staff
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen MX-SnUAN
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor MX-SnUAN
Normas de descripción rda
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación QC750-766
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Okuyama, Masanori.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 328709
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Ferroelectric Thin Films :
Resto del título Basic Properties and Device Physics for Memory Applications /
Mención de responsabilidad, etc. edited by Masanori Okuyama, Yoshihiro Ishibashi.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Berlin, Heidelberg :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer Berlin Heidelberg,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2005.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión xiv, 244 páginas 172 ilustraciones Also available online.
Otras características físicas recurso en línea.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio computadora
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso en línea
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Topics in Applied Physics,
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 0303-4216 ;
Designación de volumen o secuencia 98
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Springer eBooks
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Theoretical Aspects of Phase Transitions in Ferroelectric Thin Films -- Chemical Solution Deposition of Layered-Structured Ferroelectric Thin Films -- PB-Based Ferroelectric Thin Films Prepared by MOCVD -- Spontaneous Polarization and Crystal Orientation Control of MOCVD PZT and Bi4Ti3O12-Based Films -- Rhombohedral PZT Thin Films Prepared by Sputtering -- Scanning Nonlinear Dielectric Microscope -- Analysis of Ferroelectricity and Enhanced Piezoelectricity near Morphotropic Phase Boundary -- Correlation between Domain Structures in Dielectric Properties in Single Crystals of Ferroelectric Solid Solutions -- Relaxor Behaviors in Perovskite-Type Dielectric Compounds -- Artificial Control of Ordered/Disordered State of B-Site Ions in Ba(Zr,Ti)O3 by a Superlattice Technique -- Physics of Ferroelectric Interface: An Attempt to Nano-Ferrolectric Physics -- Preparation and Property of Ferroelectic-Insulator-Semiconductor Junction Using YMNO3 Thin Film -- Improvement of Memory Retention in Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor (MFIS) Structure.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. Ferroelectric thin films continue to attract much attention due to their developing, diverse applications in memory devices, FeRAM, infrared sensors, piezoelectric sensors and actuators. This book, aimed at students, researchers and developers, gives detailed information about the basic properties of these materials and the associated device physics. All authors are acknowledged experts in the field.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Ishibashi, Yoshihiro.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 328710
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Servicio en línea)
9 (RLIN) 299170
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783540241638
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/b99517">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/b99517</a>
Nota pública Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Recurso en línea

No hay ítems disponibles.

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Soportado en Koha