Microscopy of Semiconducting Materials : (Registro nro. 294829)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 02725nam a22003735i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 294829 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429155202.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2005 gw | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783540319153 |
| -- | 9783540319153 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/3540319158 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000348038 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030454 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404121452 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404091229 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402071017 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Cullis, A. G. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 310236 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Microscopy of Semiconducting Materials : |
| Resto del título | Proceedings of the 14th Conference, April 11–14, 2005, Oxford, UK / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by A. G. Cullis, J. L. Hutchison. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Berlin, Heidelberg : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Berlin Heidelberg, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2005. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xvI, 537 páginas 489 ilustraciones |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Springer Proceedings in Physics, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 0930-8989 ; |
| Designación de volumen o secuencia | 107 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Epitaxy: Wide Band-Gap Nitrides -- Epitaxy: Silicon-Germanium Alloys -- Epitaxy: Growth and Defect Phenomena -- High Resolution Microscopy and Nanoanalysis -- Self-Organised and Quantum Domain Structures -- Processed Silicon and Other Device Materials -- Device Studies -- Scanning Electron and Scanning Probe Advances. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | This is a long-established international biennial conference series, organised in conjunction with the Royal Microscopical Society, Oxford, the Institute of Physics, London and the Materials Research Society, USA. The 14th conference in the series focused on the most recent advances in the study of the structural and electronic properties of semiconducting materials by the application of transmission and scanning electron microscopy. The latest developments in the use of other important microcharacterisation techniques were also covered and included the latest work using scanning probe microscopy and also X-ray topography and diffraction. Developments in materials science and technology covering the complete range of elemental and compound semiconductors are described in this volume. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Hutchison, J. L. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 328753 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783540319146 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/3-540-31915-8">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/3-540-31915-8</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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