Ion Implantation and Synthesis of Materials / (Registro nro. 296958)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 02977nam a22003735i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 296958 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429155355.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2006 gw | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783540452980 |
| -- | 9783540452980 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9783540452980 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000349552 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030446 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201405050345 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402071205 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | QC770-798 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Nastasi, Michael. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 332385 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Ion Implantation and Synthesis of Materials / |
| Mención de responsabilidad, etc. | by Michael Nastasi, James W. Mayer. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Berlin, Heidelberg : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Berlin Heidelberg, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2006. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xiii, 263 páginas 131 ilustraciones |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | General Features and Fundamental Concepts -- Particle Interactions -- Dynamics of Binary Elastic Collisions -- Cross-Section -- Ion Stopping -- Ion Range and Range Distribution -- Displacements and Radiation Damage -- Channeling -- Doping, Diffusion and Defects in Ion-Implanted Si -- Crystallization and Regrowth of Amorphous Si -- Si Slicing and Layer Transfer: Ion-Cut -- Surface Erosion During Implantation: Sputtering -- Ion-Induced Atomic Intermixing at the Interface: Ion Beam Mixing -- Application of Ion Implantation Techniques in CMOS Fabrication -- Ion implantation in CMOS Technology: Machine Challenges. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Mayer, James W. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 300190 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783540236740 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-45298-0">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-45298-0</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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