TEST - Catálogo BURRF
   

Extended Defects in Germanium : (Registro nro. 298745)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03108nam a22003855i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 298745
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control MX-SnUAN
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20160429155517.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150903s2009 gw | o |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783540856146
-- 9783540856146
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/9783540856146
Fuente del número o código doi
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema vtls000352085
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO]
Nivel de reglas en descripción bibliográfica 201509030933
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201405060300
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
-- 201402171152
-- staff
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen MX-SnUAN
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor MX-SnUAN
Normas de descripción rda
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TA1750-1750.22
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Claeys, Cor.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 335295
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Extended Defects in Germanium :
Resto del título Fundamental and Technological Aspects /
Mención de responsabilidad, etc. edited by Cor Claeys, Eddy Simoen.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Berlin, Heidelberg :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer Berlin Heidelberg,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2009.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Otras características físicas recurso en línea.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio computadora
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso en línea
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Springer Series in Materials Science,
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 0933-033X ;
Designación de volumen o secuencia 118
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Springer eBooks
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Dislocations in Germanium: Mechanical Properties -- Electrical and Optical Properties -- Grain Boundaries in Germanium -- Germanium-Based Substrate Defects -- Process-Induced Defects in Germanium.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. The aim is to give an overview of the physics of extended defects in Germanium, i.e. dislocations (line defects), grain boundaries, stacking faults, twins and {311} defects (two-dimensional defects) and precipitates, bubbles, etc. The first part covers fundamentals, describing the crystallographic structure and other physical and electrical properties, mainly of dislocations. Since dislocations are essential for the plastic deformation of Germanium, methods for analysis and imaging of dislocations and to evaluate their structure are described. Attention is given to the electrical and optical properties, which are important for devices made in dislocated Ge. The second part treats the creation of extended defects during wafer and device processing. Issues are addressed such as defect formation during ion implantation, necessary to create junctions, which are an essential part in every device type. Extended defects are also created during the deposition of thin or thick epitaxial layers on other substrates, which are important for optoelectronic and photovoltaic applications. In brief, the book is intended to provide a fundamental understanding of the extended-defect formation during Ge materials and device processing, providing ways to distinguish harmful from less detrimental defects and should point out ways for defect engineering and control.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Simoen, Eddy.
Término indicativo de función/relación editor.
9 (RLIN) 335296
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Servicio en línea)
9 (RLIN) 299170
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783540856115
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-85614-6">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-85614-6</a>
Nota pública Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Recurso en línea

No hay ítems disponibles.

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Soportado en Koha