Ion Beams in Nanoscience and Technology / (Registro nro. 299269)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 04470nam a22003975i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 299269 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20170705134246.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2010 gw | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783642006234 |
| -- | 9783642006234 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9783642006234 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000352920 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030925 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201405060312 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402180931 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | T174.7 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Hellborg, Ragnar. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 326323 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Ion Beams in Nanoscience and Technology / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by Ragnar Hellborg, Harry J. Whitlow, Yanwen Zhang. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Berlin, Heidelberg : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Berlin Heidelberg, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2010. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xxiii, 457 p |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Particle Acceleration and Detection, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1611-1052 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Trends in nanoscience and technology -- Nanoscale Engineering in the Biosciences -- High Speed Electronics -- Surface Modification Using Reactive Landing of Mass-Selected Ions -- Basic ion-matter interactions in nanometre scale materials -- Basics of Ion Scattering in Nanoscale Materials -- Box 1: Stopping of Ions in Nanomaterials -- Box 2: Sputtering -- Box 3: Ion Ranges -- Computer Simulation Methods for Defect Configurations and Nanoscale Structures -- Characterising Nanoscale Crystal Perfection by Crystal Mapping -- Box 4: Interatomic Potential -- Ion beam characterisation of nanoscale materials -- Medium Energy Ion Scattering for Near Surface Structure and Depth Profiling -- Box 5: Surface Crystallography Terminology -- Thin Film Characterisation Using MeV Ion Beams -- Nanoscale Materials Defect Characterisation -- Box 6: Nanoscale Defects -- Box 7: Diagnostic Ion Beam Luminescence -- Nanomaterials Science with Radioactive Ion Beams -- Nanoscale materials processing with ion beams -- Nanocluster and Nanovoid Formation by Ion Implantation -- Plasma Etching and Integration with Nanoprocessing -- Focused Ion Beam Machining and Deposition -- Box 8: Sample Preparation for Transmission Electron Microscopy Using a Focused Ion Beam -- Box 9: Integrated Circuit Chip Modification Using Focused Ion Beams -- Proton Beam Writing: A New 3D Nanolithographic Technique -- Box 10: Proton Beam Writing of Optical Structures -- Box 11: Tissue Engineering and Bioscience Methods Using Proton Beam Writing -- Box 12: Stamps for Nanoimprint Lithography -- Box 13: Silicon Micro/Nano-Fabrication Using Proton Beam Writing and Electrochemical Etching -- Nanoscale Materials Modification for Device Applications -- Luminescence, Ion Implantation, and Nanoparticles -- Micro- and Nanoengineering with Ion Tracks -- Equipment and practice -- Ion Accelerators for Nanoscience -- Focusing keV and MeV Ion Beams -- Ion Spectrometers and Detectors -- Electronics for Application of Ion Beams in Nanoscience. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | Energetic ion beam irradiation is the basis of a wide plethora of powerful research- and fabrication-techniques for materials characterisation and processing on a nanometre scale. Materials with tailored optical, magnetic and electrical properties can be fabricated by synthesis of nanocrystals by ion implanation, focused ion beams can be used to machine away and deposit material on a scale of nanometres and the scattering of energetic ions is a unique and quantitative tool for process development in high speed electronics and 3-D nanostructures with extreme aspect radios for tissue engineering and nano-fluidics lab-on-a-chip may be machined using proton beams. This book will benefit practitioners, researchers and graduate students working in the field of ion beams and application and more generally everyone concerned with the broad field of nanoscience and technology. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Whitlow, Harry J. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 336118 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Zhang, Yanwen. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 336119 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783642006227 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-00623-4">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-00623-4</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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