Introduction to Space Charge Effects in Semiconductors / (Registro nro. 300129)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 02589nam a22003735i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 300129 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429155616.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2010 gw | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783642022364 |
| -- | 9783642022364 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9783642022364 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000353293 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030510 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201405060318 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402180941 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | QC176-176.9 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Böer, Karl W. |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 9 (RLIN) | 337205 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Introduction to Space Charge Effects in Semiconductors / |
| Mención de responsabilidad, etc. | by Karl W. Böer. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Berlin, Heidelberg : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Berlin Heidelberg, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2010. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xiii, 331 páginas 168 ilustraciones |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Springer Series in Solid-State Sciences, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 0171-1873 ; |
| Designación de volumen o secuencia | 160 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Space Charges in Insulators -- Creation of Space-Charge Regions in Solids -- The Schottky Barrier -- Minority Carriers in Barriers -- Minority Carrier Currents -- Schottky Barrier in Two-Carrier Model -- pn-Homojunctions -- The Photovoltaic Effect -- The Schottky Barrier Photodiode -- The pn-Junction with Light -- The Heterojunction with Light. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | This book is the most comprehensive one to describe the basics of space-charge effects in semiconductors, starting from basic principles to advanced application in semiconducting devices. It uses detailed analyses of the transport, Poisson, and continuity equations to demonstrate the behavior of the solution curves of the complete set of field and current distributions, along with quantitative descriptions of the relevant band models of typical pn-junction and Schottky barrier devices. It emphasizes the relevance to actual devices and sets these results apart from more simple models of networks of diodes and resistors. The book is especially important for people interested in detail analysis of solar cells and their efficiencies. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783642022357 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-02236-4">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-02236-4</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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