High Permittivity Gate Dielectric Materials / (Registro nro. 306965)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 02981nam a22003735i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 306965 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20170705134313.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2013 gw | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783642365355 |
| -- | 9783642365355 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/9783642365355 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000361053 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509031009 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201405070309 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402210939 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | TK7800-8360 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Kar, Samares. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 346391 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | High Permittivity Gate Dielectric Materials / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by Samares Kar. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Berlin, Heidelberg : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Berlin Heidelberg : |
| -- | Imprint: Springer, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2013. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xxxii, 489 páginas 325 ilustraciones, 168 ilustraciones en color. |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Springer Series in Advanced Microelectronics, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1437-0387 ; |
| Designación de volumen o secuencia | 43 |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Historical Perspectives -- High Mobility Channels -- Non-Volatile Memory -- Hafnium-Based Gate Dielectric Materials -- Lanthanum-Based High-K Gate Dielectric Materials -- Crystalline High-K Gate Dielectric Materials -- High-K Gate Dielectric Processing.- Metal Gate Electrodes -- Flat-Band/Threshold Voltage Control -- Interfaces and Defects -- Electrical Characterization and Parameter Extraction -- Non-Contact Metrology of High-K Gate Dielectrics -- Channel Mobility -- High-K Gate Dielectric Reliability Issues -- Bias Temperature Instability -- Integration Issues. . |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | "The book comprehensively covers all the current and the emerging areas of the physics and the technology of high permittivity gate dielectric materials, including, topics such as MOSFET basics and characteristics, hafnium-based gate dielectric materials, Hf-based gate dielectric processing, metal gate electrodes, flat-band and threshold voltage tuning, channel mobility, high-k gate stack degradation and reliability, lanthanide-based high-k gate stack materials, ternary hafnia and lanthania based high-k gate stack films, crystalline high-k oxides, high mobility substrates, and parameter extraction. Each chapter begins with the basics necessary for understanding the topic, followed by a comprehensive review of the literature, and ultimately graduating to the current status of the technology and our scientific understanding and the future prospects." |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783642365348 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-36535-5">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-36535-5</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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