TRANSISTOR LEVEL MODELING FOR ANALOG/RF IC DESIGN / (Registro nro. 282504)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 03801nam a22003855i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 282504 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | MX-SnUAN |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20160429154154.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 150903s2006 ne | o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781402045561 |
| -- | 9781402045561 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/1402045565 |
| Fuente del número o código | doi |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | vtls000334817 |
| 039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
| Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030224 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404120849 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201404090628 |
| Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
| -- | 201402041244 |
| -- | staff |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
| Lengua de catalogación | spa |
| Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
| Normas de descripción | rda |
| 050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | TK7888.4 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | GRABINSKI, WLADYSLAW. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 309293 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | TRANSISTOR LEVEL MODELING FOR ANALOG/RF IC DESIGN / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by WLADYSLAW GRABINSKI, BART NAUWELAERS, DOMINIQUE SCHREURS. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Dordrecht : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Netherlands, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2006. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | xiii, 293 páginas |
| Otras características físicas | recurso en línea. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computadora |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | archivo de texto |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 500 ## - NOTA GENERAL | |
| Nota general | Springer eBooks |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 2/3-D process and device simulation. An effective tool for better understanding of internal behavior of semiconductor structures -- PSP: An advanced surface-potential-based MOSFET model -- EKV3.0: An advanced charge based MOS transistor model.A design-oriented MOS transistor compact model -- Modelling using high-frequency measurements -- Empirical FET models -- Modeling the SOI MOSFET nonlinearities. An empirical approach -- Circuit level RF modeling and design -- On incorporating parasitic quantum effects in classical circuit simulations -- Compact modeling of the MOSFET in VHDL-AMS -- Compact modeling in Verilog-A. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The first chapter lays out the 2/3D process and device simulations as an effective tool for a better understanding of the internal behavior of semiconductor structures and this with a focus on high-voltage MOSFET devices. Subsequently, the mainstream developments of both the PSP and the EKV models are discussed in detail. These physics-based MOSFET models are compared to the measurement-based models which are frequently used in RF applications. The comparison includes an overview of the relevant empirical models and measurement techniques. The following chapters include SOI-specific aspects, modeling enhancement of small geometry MOSFET devices and a survey of quantum effects in devices and circuits. Finally, an explanation of hardware description languages such as VHDL-AMS and Verilog-A is offered and shows the possibilities of the practical implementation and standardization of the different modeling methodologies found in the preceding chapters. The variety of subjects and the high quality of content of this volume make it a reference document for researchers and users of MOSFET devices and models. The book can be recommended to everyone who is involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization. The book will appeal equally to PhD students who want to understand the ins and outs of MOSFETs as well as to modeling designers working in the analog and high-frequency areas. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | NAUWELAERS, BART. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 309294 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | SCHREURS, DOMINIQUE. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 309295 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
| 9 (RLIN) | 299170 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781402045554 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-4556-5">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-4556-5</a> |
| Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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