MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch / (Registro nro. 292571)
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000 -CABECERA | |
---|---|
campo de control de longitud fija | 03024nam a22003855i 4500 |
001 - NÚMERO DE CONTROL | |
campo de control | 292571 |
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
campo de control | MX-SnUAN |
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
campo de control | 20160429155029.0 |
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
campo de control de longitud fija | 150903s2014 gw | o |||| 0|eng d |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
Número Internacional Estándar del Libro | 9783319011653 |
-- | 9783319011653 |
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
Número estándar o código | 10.1007/9783319011653 |
Fuente del número o código | doi |
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
Número de control de sistema | vtls000345882 |
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO] | |
Nivel de reglas en descripción bibliográfica | 201509030909 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso | VLOAD |
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia | 201405050327 |
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación | VLOAD |
-- | 201402061347 |
-- | staff |
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
Centro catalogador/agencia de origen | MX-SnUAN |
Lengua de catalogación | spa |
Centro/agencia transcriptor | MX-SnUAN |
Normas de descripción | rda |
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
Número de clasificación | TK7888.4 |
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
Nombre de persona | Srivastava, Viranjay M. |
Término indicativo de función/relación | autor |
9 (RLIN) | 324458 |
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
Título | MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch / |
Mención de responsabilidad, etc. | by Viranjay M. Srivastava, Ghanshyam Singh. |
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Cham : |
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer International Publishing : |
-- | Imprint: Springer, |
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2014. |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
Extensión | xv, 199 páginas 55 ilustraciones, 45 ilustraciones en color. |
Otras características físicas | recurso en línea. |
336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
Término de tipo de contenido | texto |
Código de tipo de contenido | txt |
Fuente | rdacontent |
337 ## - TIPO DE MEDIO | |
Nombre/término del tipo de medio | computadora |
Código del tipo de medio | c |
Fuente | rdamedia |
338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
Nombre/término del tipo de soporte | recurso en línea |
Código del tipo de soporte | cr |
Fuente | rdacarrier |
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
Tipo de archivo | archivo de texto |
Formato de codificación | |
Fuente | rda |
490 0# - MENCIÓN DE SERIE | |
Mención de serie | Analog Circuits and Signal Processing, |
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1872-082X ; |
Designación de volumen o secuencia | 122 |
500 ## - NOTA GENERAL | |
Nota general | Springer eBooks |
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
Nota de contenido con formato | Introduction -- Design of Double-Pole Four-Throw RF Switch -- Design of Double-Gate MOSFET -- Double-Pole Four-Throw RF Switch Based on Double-Gate MOSFET -- Cylindrical Surrounding Double-Gate RF MOSFET -- Hafnium Dioxide Based Double-Pole Four-Throw Double-Gate RF CMOS Switch -- Testing of MOSFET Surfaces Using Image Acquisition -- Conclusions and Future Scope. |
520 ## - SUMARIO, ETC. | |
Sumario, etc. | This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition. · Provides a single-source reference to the latest technologies for the design of Double-gate MOSFET, Cylindrical Surrounding double-gate MOSFET and HFO2 based MOSFET; · Explains the design of RF switches using the technologies presented and simulates switches; · Verifies parameters and discusses feasibility of devices and switches. |
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
Nota local | Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto. |
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
Nombre de persona | Singh, Ghanshyam. |
Término indicativo de función/relación | autor |
9 (RLIN) | 324459 |
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Servicio en línea) |
9 (RLIN) | 299170 |
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
Información de relación/Frase instructiva de referencia | Edición impresa: |
Número Internacional Estándar del Libro | 9783319011646 |
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
Identificador Uniforme del Recurso | <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-01165-3">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-01165-3</a> |
Nota pública | Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL) |
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
Tipo de ítem Koha | Recurso en línea |
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