TEST - Catálogo BURRF
   

MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch / (Registro nro. 292571)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03024nam a22003855i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 292571
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control MX-SnUAN
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20160429155029.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150903s2014 gw | o |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783319011653
-- 9783319011653
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/9783319011653
Fuente del número o código doi
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema vtls000345882
039 #9 - NIVEL DE CONTROL BIBLIOGRÁFICO Y DETALLES DE CODIFICACIÓN [OBSOLETO]
Nivel de reglas en descripción bibliográfica 201509030909
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar no-encabezamientos de materia en puntos de acceso VLOAD
Nivel de esfuerzo utilizado en la asignación de encabezamientos de materia 201405050327
Nivel de esfuerzo utilizado para asignar clasificación VLOAD
-- 201402061347
-- staff
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen MX-SnUAN
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor MX-SnUAN
Normas de descripción rda
050 #4 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7888.4
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Srivastava, Viranjay M.
Término indicativo de función/relación autor
9 (RLIN) 324458
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch /
Mención de responsabilidad, etc. by Viranjay M. Srivastava, Ghanshyam Singh.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Cham :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer International Publishing :
-- Imprint: Springer,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2014.
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión xv, 199 páginas 55 ilustraciones, 45 ilustraciones en color.
Otras características físicas recurso en línea.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio computadora
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso en línea
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Analog Circuits and Signal Processing,
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 1872-082X ;
Designación de volumen o secuencia 122
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Springer eBooks
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Introduction -- Design of Double-Pole Four-Throw RF Switch -- Design of Double-Gate MOSFET -- Double-Pole Four-Throw RF Switch Based on Double-Gate MOSFET -- Cylindrical Surrounding Double-Gate RF MOSFET -- Hafnium Dioxide Based Double-Pole Four-Throw Double-Gate RF CMOS Switch -- Testing of MOSFET Surfaces Using Image Acquisition -- Conclusions and Future Scope.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET.  The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET  is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.  ·         Provides a single-source reference to the latest technologies for the design of Double-gate MOSFET, Cylindrical Surrounding double-gate MOSFET and HFO2 based MOSFET; ·         Explains the design of RF switches using the technologies presented and simulates switches; ·         Verifies parameters and discusses feasibility of devices and switches.
590 ## - NOTA LOCAL (RLIN)
Nota local Para consulta fuera de la UANL se requiere clave de acceso remoto.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Singh, Ghanshyam.
Término indicativo de función/relación autor
9 (RLIN) 324459
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Servicio en línea)
9 (RLIN) 299170
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783319011646
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-01165-3">http://remoto.dgb.uanl.mx/login?url=http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-01165-3</a>
Nota pública Conectar a Springer E-Books (Para consulta externa se requiere previa autentificación en Biblioteca Digital UANL)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Recurso en línea

No hay ítems disponibles.

Universidad Autónoma de Nuevo León
Secretaría de Extensión y Cultura - Dirección de Bibliotecas @
Soportado en Koha